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Conclusion
Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel
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Conclusion
Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Auteur(s) : Philippe BELLEVILLE, Philippe BOY

Date de publication : 10 août 2005

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INTRODUCTION

La chimie peut-elle aider la microélectronique dans sa course à la miniaturisation ? Les chimistes du CEA/Le Ripault ont mis au point une solution à base du meilleur matériau ferroélectrique connu, le PZT, stable sur plus d’une année, reproductible à grande échelle, compatible avec le silicium... Le procédé par voie sol-gel utilisé est beaucoup plus souple et économique que le dépôt sous vide classiquement utilisé, et exploite les machines habituellement consacrées à l’application de résine de gravure sur les substrats de silicium.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-in40

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6. Conclusion

Fort de ces avantages, le laboratoire du CEA s’est immédiatement lancé dans un procédé transposable à l’industrie. Le procédé développé  permet en six minutes de recouvrir une plaquette de silicium qui correspond à plus de 30 000 capacités (figures 12).

« La technique développée s’adresse également à d’autres industriels que ceux de la téléphonie. Outre sa constance diélectrique très élevée, le PZT présente en effet des propriétés ferroélectriques ou piézoélectriques qui intéressent les fabricants de mémoires et de microsystèmes MEMs... »

Points forts

• Technique conçue dès le départ pour être industrialisée.

• La voie sol-gel présente des atouts, comparée aux techniques de dépôts sous vide : facilité de mise en œuvre, faible coût de maintenance, application des films sur surface complexe, grande pureté et homogénéité des dépôts.

• Plusieurs licences d’exploitation ont été concédées.

• Les chimistes fabriquent un litre de solution de PZT, de manière reproductible. Les propriétés du produit sont conservées durant plus d’une année au moins.

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - HIBOUX (S.) et al -   *  -  Journal of The Materials Research Society, 14, p. 4307-4318 (1999).

  • (2) - OLDING et al -   *  -  Integrated Ferroelectrics, 26, p. 225-241 (1999).

  • (3) - LIVAGE et al -   *  -  Journal of sol-gel Science and Technology, 2, p. 605-609 (1994).

  • (4) - LIU et al -   *  -  International Conference on high Density Packaging and MCMs Proceeding, p. 431-437 (1999).

  • (5) - WU et al -   *  -  Journal of sol-gel Science and Technology, 19, p. 671-676 (2000).

  • (6) - WARREN (W.L.) et al -   *  -  MRS Bulletin, p. 40-45, juil. 1996.

  • (7) - KIM (K.) et al -   *  -  Exposé...

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