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Les composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences peuvent être divisés en quatre groupes : les composants discrets non linéai…
Cet article a pour objectif de fournir les bases de compréhension du fonctionnement des transistors de type MOS (métal-oxyde-semi-conducteur) sur silicium…
Cet article décrit les caractéristiques électriques des principaux composants à semi-conducteur de puissance en lien avec les grandeurs électriques de com…
Dans cet article, l'état de l'art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circu…
La récente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est le prolongement naturel du SOI pour réaliser des circuits intégrés à forte densité, haute fréquence…
La microélectronique de puissance est une branche de la microélectronique qui s’intéresse à la conception et à la fabrication de composants à semi-conduct…
Cet article s’intéresse aux amplificateurs de puissance à état-solide en radiofréquence, notamment suite à l’introduction de technologies "grand gap&…
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitatio…
Cet article présente les circuits de commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT. Il donne des éléments de dimensionnement et de protection co…
La microélectronique repose sur l’assemblage de milliards de transistors sur une même puce et relève de technologies très complexes qui se sont développée…
Les composants élémentaires ainsi que le fonctionnement des liaisons à courant continu à thyristors sont ici présentés. Les convertisseurs à thyristors, d…
Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance bipolaires à commande en courant. L’article se foc…
Attendre que son ordinateur démarre pourrait bientôt être de l'histoire ancienne. Comment ? Grace à la fabrication de transistors aux propriétés ferroélec…
La découverte d'une équipe internationale de chercheurs pilotée par le CNRS et l'Université Paris-Sud 11 ouvre des perspectives pour l'élec…
Des chercheurs ont mis au point un nouveau procédé de fabrication de transistors flexibles à partir de graphène solubilisé.
Des chercheurs de l’EPFL en Suisse ont conçu un nanodispositif capable de générer des ondes térahertz haute puissance. Il serait 10 fois plus rapide que l…
Une équipe de chercheurs du MIT est parvenue à combiner dans une seule puce électronique deux matériaux semi-conducteurs : du silicium et du nitrure de ga…
Conçu par Soitec, le substrat FD-SOI améliore l'efficacité énergétique des transistors sans alourdir les coûts de production. Ces qualités sont prisées pa…
Quelle nouveauté a émergé dans le domaine des matériaux en ce mois de novembre ? Des circuits intégrés «caoutchouteux» capables de s'adapter aux déformati…
Une équipe de chercheurs texans a mis au point le premier transistor en silicène, le plus fin des matériaux dérivés du silicium.
IBM annonce avoir réussi à créer des puces avec un procédé de gravure en 2 nm. Jusqu'à présent, il n’y avait que TSMC qui s’approchait de cette finesse a…
Ce livre blanc explique le bruit de fond attaché aux composants électroniques de base (résistances, capteurs, transistors MOS et bipolaire, circuits intég…
Dotfive a pour objectif de permettre au transistor bipolaire à hétérojonction silicium/germanium d'atteindre la gamme de fréquence maximum d’oscillation d…
Conçue par des chercheurs de l’Université de Princeton, cette puce pourrait être exploitée par des datacenters pour réduire les temps de réponse.
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