9. Conclusion
La technique ALD a été introduite en microélectronique dès le début des années 2000, avec essentiellement des applications utilisant des oxydes à forte permittivité diélectrique comme les mémoires DRAM, les capacités MIM et les transistors HKMG. L’ALD évolue aujourd’hui vers la PEALD, qui permet d’obtenir une plus large gamme de composition des films et d’effectuer des dépôts à plus basse température, à partir de 50 °C.
L’industrie de la microélectronique devient mature, et la concurrence est forte avec l’arrivée des fondeurs asiatiques depuis ces dix dernières années. Outre la performance des circuits, leur prix de fabrication est un facteur clé. Dès la phase de recherche et développement le coût est un des paramètres analysé lors du choix des solutions technologiques. Si pour les diélectriques et les électrodes des capacités et des transistors les critères de...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Conclusion
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
