5. Masquage pour la fabrication de petites structures
L’ALD assistée par plasma permet de diminuer la température de dépôt des films par rapport à l’ALD thermique, et des couches de SiO 2 peuvent être déposées à des températures aussi basses que 50 °C.
La course aux faibles dimensions nécessite l’introduction de techniques de photolithographie de plus en plus sophistiquées, avec le développement par exemple d’une technique « UV extrêmes » utilisant une longueur d’onde de 13,5 nm. Mais cette technique n’est pas encore prête et un processus en deux étapes permettant d’utiliser les équipements de lithographie actuels (longueur d’onde 193 nm) a été développé pour pouvoir traiter des structures de dimensions inférieures à 50 nm, dimensions nécessaires pour la fabrication de mémoires principalement. Ce processus utilise un dépôt de SiO 2 ...
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Masquage pour la fabrication de petites structures
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