3. Du FDSOI aux technologies émergentes, quasi-SOI et hybrides
3.1 FET Tunnel (TFET)
Les dispositifs multigrilles à effet tunnel entre source, canal et drain (TFET), permettant d’obtenir des pentes en inversion faible inférieures à 60 mV/décade, sont intéressants pour les circuits à très basse tension/consommation qui représentent le plus grand défi des futures générations de dispositifs nanoélectroniques. La figure 14 présente un exemple de TFET silicium, fabriqué avec des sources et drain de dopage opposé, dont les performances à l’état ON sont fortement améliorées en utilisant deux grilles, une couche mince de Si et un diélectrique à forte permittivité
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Du FDSOI aux technologies émergentes, quasi-SOI et hybrides
Conclusion
Sources bibliographiques
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