3. Techniques spécifiques pour la caractérisation des composants FD-SOI
3.1 Méthode pseudo-MOSFET pour substrats FD-SOI
Le transistor pseudo-MOSFET est activé en appliquant deux pointes (la source et le drain) sur la surface d’un îlot de Si gravé sur la plaque FD-SOI
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Techniques spécifiques pour la caractérisation des composants FD-SOI
Dispositifs innovants en technologie FD-SOI
Sources bibliographiques
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