7. Miniaturisation des composants
Les règles de réduction d'échelle, élaborées pour le transistor MOS sur Si massif, convergent vers la nécessité de réduire l'épaisseur des jonctions et d'augmenter le niveau de dopage du canal
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Miniaturisation des composants
Sources bibliographiques
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(1) - CRISTOLOVEANU (S.), LI (S.S.) -
Electrical characterization of SOI Materials and Devices.
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Kluwer, Norwell (1995).
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(2) - CRISTOLOVEANU (S.) -
Silicon films on sapphire.
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Rep. Prog. Phys.,
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