4. Transistors bipolaires à hétérojonction
L'utilisation d'une hétérojonction grand gap-petit gap comme jonction émetteur-base d'un transistor bipolaire permet d'en améliorer notablement les performances. Bien que l'idée en soit ancienne, sa mise en œuvre n'a pu se faire de façon convaincante qu'après développement, au début des années 1980, des techniques d'épitaxie modernes MBE et MOVPE. Ce type de composant est présenté ci-après dans le cas particulier du couple de matériaux In0,49Ga0,51P/GaAs, le plus utilisé actuellement.
4.1 Transistor bipolaire à hétérojonction InGaP (N)/GaAs (p) (HBT)
Le HBT InGaP/GaAs est un transistor bipolaire dont l'émetteur en In0,49Ga0,51P possède une bande interdite (1,89 eV) plus grande que celle de la base en GaAs (cf. structure typique et diagramme des...
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Transistors bipolaires à hétérojonction
Synthèse comparative et évolutions
Sources bibliographiques
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