3. Commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT
3.1 Influence du circuit de commande sur les performances des composants à grille isolée
Les transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) et IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se commandent par la tension appliquée entre les électrodes de grille et de source. Habituellement, une tension d’environ 15 V est optimale pour rendre les transistors MOS et IGBT classiques passants, alors que 5 V peuvent suffir pour les transistors L 2FET (Logic Level Field Effect Transistor) ou Logic Level IGBT (les IGBT et la plupart des transistors MOSFET de puissance sont à canal N). Sous tension nulle, le transistor est bloqué, mais une tension de polarisation négative augmente l’immunité du circuit de commande aux bruits. Le basculement d’un état...
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Commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT
- (1) - LETURCQ (P.) - Composants semi-conducteur de puissance, Partie 2 - . Techniques de l’Ingénieur, D 3 107, 05-2001.
- (2) - ARNOULD (J.), LAFORE (D.) , LI (J.M.) - Bipolar transistors in high frequency areas switch-on drive techniques for series resonant converters - . (Transistors bipolaires dans le domaine des hautes fréquences,...
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