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Matériaux semi-conducteurs à grand gap : SiC

Nous avons déjà vu que l’émergence actuelle des composants à base de SiC était directement liée aux progrès de la technologie, et en particulier de la technologie des substrats. C’est elle qui, en définitive, conditionne le passage des fortes densités de courant et donc la valeur maximale de la puissance délivrée. L’objectif actuel, pour les composants de puissance, est d’arriver à une surface active de 1 cm ² . Nous n’y reviendrons pas. Nous nous contenterons de présenter l’état de l’art, en ce qui concerne les composants les plus souvent réalisés et nous essayerons de mettre en évidence les problèmes essentiels qui restent à résoudre.

Nous envisagerons, d’abord, le cas des simples jonctions P-N pour toutes les applications de redressement de puissance à très forte tension inverse (2 kV et plus). Nous parlerons ensuite...