3. Conclusion
L’article décrit les principales filières de transistors à effet de champ et bipolaires III-V et silicium qui constituent les éléments actifs de base à la réalisation de MMIC.
L’article décrit également les techniques de modélisation électrique de ces transistors et les divers modèles phénoménologiques ou basés sur des principes physiques que l’on retrouve pour la plupart dans les bibliothèques de composants des outils de conception.
Quant aux évolutions technologiques à venir, nous pensons que nous avons atteint une époque de maturation de la plupart des technologies III-V et silicium existantes ; ces technologies répondent aujourd’hui à la plupart des cahiers des charges des MMIC en terme de fréquence, bruit et puissance. À titre d’exemple, le célèbre « gap THz » est aujourd’hui en train de se refermer par la voie électronique grâce à...
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