2. Architectures
2.1 Méthodes d’isolement
Les transistors intégrés sont électriquement isolés les uns des autres, soit par des jonctions polarisées en inverse, soit par de diélectriques, soit par une association des deux techniques. Ces techniques sont fondamentales dans la réussite de l’intégration et conditionnent la densité, la consommation (courants de fuite) et les performances dynamiques (capacités parasites).
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Architectures
Réalisation technologique
Données économiques
La complexité croissante des technologies les plus avancées en CMOS d’une part et en bipolaire d’autre part rend leur intégration simultanée dans un BiCMOS plus ardue et plus coûteuse. Ce qui laisse penser que les générations BiCMOS industrielles seront de plus en plus en retrait par rapport au MOS et bipolaire de pointe. Ceci explique les prévisions décroissantes pour ces technologies en l’an 2000 (cf. tableau...
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