4. Performances
Les transistors bipolaires intégrés sont recherchés pour leur rapidité tant en circuits numériques (l’élément de base est la porte inverseuse et le paramètre principal, le courant disponible) qu’en circuits analogiques (l’élément de base est l’amplificateur et les paramètres principaux les fréquences f T , f max et le bruit). Les progrès sont dus à la réduction des dimensions dans les trois directions. Les contraintes imposées par cette réduction dans la géométrie ont amené de nouvelles structures telles l’émetteur polysilicium (pour compenser la baisse du gain en courant dû aux bases fines très dopées), la structure double polysilicium (pour diminuer la surface occupée par les contacts de base et réduire la surface de base), la base épitaxiée dopée...
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Performances
Application aux circuits intégrés
Données économiques
La complexité croissante des technologies les plus avancées en CMOS d’une part et en bipolaire d’autre part rend leur intégration simultanée dans un BiCMOS plus ardue et plus coûteuse. Ce qui laisse penser que les générations BiCMOS industrielles seront de plus en plus en retrait par rapport au MOS et bipolaire de pointe. Ceci explique les prévisions décroissantes pour ces technologies en l’an 2000 (cf. tableau...
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