3. Commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT
3.1 Influence du circuit de commande sur les performances des composants à grille isolée
Les transistors MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) et IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) se commandent par la tension appliquée entre les électrodes de grille et de source. Habituellement, une tension d’environ 15 V est optimale pour rendre les transistors MOS et IGBT classiques passants, alors que 5 V peuvent suffir pour les transistors L 2 FET ( Logic Level Field Effect Transistor ) ou Logic Level IGBT (les IGBT et la plupart des transistors MOSFET de puissance sont à canal N). Sous tension...
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Commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT
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