Commande des transistors bipolaires et thyristors blocables (GTO)
Commande des semi-conducteurs de puissance : principes

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Commande des transistors bipolaires et thyristors blocables (GTO)
Commande des semi-conducteurs de puissance : principes

Auteur(s) : Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON

Date de publication : 10 novembre 2002

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2. Commande des transistors bipolaires et thyristors blocables (GTO)

Les premiers transistors de puissance étaient bipolaires, leur maturité technologique fut atteinte à la fin des années 1970, lorsque le niveau de compréhension de leur comportement complexe permis de les améliorer sensiblement. Jusque là, ils se partageaient, avec les thyristors, le marché des composants à semi-conducteurs de puissance. Puis, progressivement et successivement, les MOSFET et les IGBT les détrônèrent de leurs domaines d’applications ; au début du 21 e  siècle, ils n’occupent plus que quelques niches. En particulier, on les rencontre dans des applications « grand public » telles les ballasts électroniques pour l’alimentation de tubes fluorescents ou halogènes, ou encore dans les afficheurs cathodiques (TV, moniteurs vidéo). Il pourrait donc sembler inutile de les traiter en détail. En fait, nombre des problèmes qu’ils soulèvent...

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