Modélisation des diodes Schottky en régime direct
Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)

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Modélisation des diodes Schottky en régime direct
Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)

Auteur(s) : Christophe RAYNAUD

Relu et validé le 8 février 2022 | Read in english

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2. Modélisation des diodes Schottky en régime direct

2.1 Description du modèle développé numériquement

La connaissance de la résistivité telle que calculée au §  1.6.5 ,...

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