Techniques de mesure de grandeurs électriques adaptées aux nanocircuits

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R1084 V1 Article de référence

Techniques de mesure de grandeurs électriques adaptées aux nanocircuits

Auteur(s) : Brice GAUTIER, Pascal CHRÉTIEN, Khalifa AGUIR, Frédéric HOUZÉ, Olivier SCHNEEGANS, Johannes HOFFMANN, Nicolas CHEVALIER, Łukasz BOROWIK, Dominique DERESMES, Pierre GOURNAY, Philippe MAILLOT, François PIQUEMAL

Relu et validé le 25 avril 2024 | Read in english

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RÉSUMÉ

Cet article passe en revue les différentes techniques fondées sur la microscopie à force atomique, capables de fournir une information électrique avec une résolution spatiale de l'ordre du nanomètre ou de la dizaine de nanomètres. Les grandeurs mesurées peuvent être le courant, la capacité, le champ ou le potentiel électrique. Chaque technique est décrite précisément au moyen d'exemples tirés de la recherche en micro-nanoélectronique, et le périmètre de ses performances est délimité. Les aspects métrologiques de telles mesures appliquées aux nanocircuits sont mis en avant, les sources d'erreur identifiées et des pistes d'amélioration proposées.

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AUTEUR(S)

  • Brice GAUTIER : Professeur des Universités, Institut des Nanotechnologies de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Université de Lyon, UMR CNRS 5270, Villeurbanne, FRANCE

  • Pascal CHRÉTIEN : Ingénieur de Recherche CNRS, Laboratoire de Génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France

  • Khalifa AGUIR : Professeur des Universités, Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP), UMR CNRS 7334 Marseille, France

  • Frédéric HOUZÉ : Chercheur CNRS, Laboratoire de génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France

  • Olivier SCHNEEGANS : Chercheur CNRS, Laboratoire de génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France

  • Johannes HOFFMANN : Ingénieur, Institut fédéral de métrologie, METAS, Bern-Wabern, Suisse

  • Nicolas CHEVALIER : Ingénieur Chercheur, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France

  • Łukasz BOROWIK : Ingénieur Chercheur, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France

  • Dominique DERESMES : Ingénieur de recherche, IEMN (Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) UMR 8520, CNRS, Université de Lille, Villeneuve d'Ascq, France

  • Pierre GOURNAY : Physicien Principal, Bureau International des Poids et Mesures, Sèvres, France

  • Philippe MAILLOT : Responsable Qualité/Métrologie en Recherche et Développement, STMicroelectronics, Centre Technologique, Rousset, France

  • François PIQUEMAL : Ingénieur Chercheur, Laboratoire national de métrologie et d'essais, Trappes, France

 INTRODUCTION

Les techniques de mesure décrites dans cet article relèvent de la micro-scopie en champ proche adaptée aux mesures locales de grandeurs électriques à l’échelle nanométrique, communément appelée microscopie à sonde locale électrique ou encore en anglais eSPM pour electrical Scanning Probe Microscopy . Ces techniques mettent en œuvre un mécanisme de balayage d’une pointe à proximité ou sur la surface d’un échantillon afin d’en obtenir, simultanément ou non, l’image topographique et les propriétés physiques locales à l’échelle nanométrique. Lorsque les pointes utilisées sont conductrices, l’application d’une excitation électrique entre la pointe et la surface à imager permet de mesurer des grandeurs locales telles que le courant et l’impédance (résistance et capacité) ou encore le champ électrique et le potentiel de surface via la mesure de gradients de force électrostatique.

Les techniques eSPM sont largement utilisées par l’industrie de la micro-électronique au cours des étapes de recherche, développement et qualification (test de défaillance) des nanocircuits et nanocomposants électroniques. Notamment, elles permettent d’extraire des propriétés clés pour leur fonctionnement telles que, par exemple, la distribution de la densité des porteurs de charge d’une structure semi-conductrice, le profil bidimensionnel de la concentration de dopants dans la région source-drain d’un transistor, le travail de sortie de différents grains dans un film métallique ou une feuille de graphène, ou encore le courant de fuite ou le champ électrique de claquage dans une couche diélectrique très fine.

Cependant, en dépit de progrès considérables réalisés lors des deux dernières décennies, la microscopie à sonde locale électrique n’est pas encore admise comme une véritable technique expérimentale quantitative par manque d’outils métrologiques adaptés (étalons de références électriques, méthodes d’étalonnage, protocoles de mesure, modélisation multi-grandeur). En particulier, l’influence sur les résultats de mesure de paramètres non suffisamment contrôlés, tels que l’usure du revêtement et la forme de la pointe, la nature du contact pointe-échantillon, les grandeurs électriques parasites (capacité), les conditions environnementales (humidité, température, contaminants, champs électriques…) reste encore mal évaluée ou non comprise, et constitue un frein à l’évaluation d’incertitudes de mesure fiables indispensables pour l’établissement d’une démarche métrologique correcte. Ainsi, encore aujourd’hui, dans la plupart des cas, l’incertitude des mesures excède les 100 %.

Le développement d’une telle démarche métrologique dédiée à la micro-scopie à sonde locale doit permettre de supporter...

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MOTS-CLÉS

Microélectronique   |   microscopie à force atomique   |   nano-électronique   |   mesure de résistance à l'échelle nanométrique   |   mesure de capacité à l'échelle nanométrique   |   mesure de champ électrique à l'échelle nanométrique

DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)

https://doi.org/10.51257/a-v1-r1084

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