IGBT de forte puissance
MOSFET et IGBT : circuits de commande

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IGBT de forte puissance
MOSFET et IGBT : circuits de commande

Auteur(s) : Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON

Date de publication : 10 août 2003 | Read in english

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5. IGBT de forte puissance

5.1 Principes de commande

Les circuits de commande de transistors de très forte puissance ( V BR > 1 700 V) nécessitent quasi systématiquement une alimentation isolée, même pour les transistors low side , notamment pour des questions de sécurité.

.Circuit de commande à transformateur...
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