Conclusion
Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)

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Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)

Auteur(s) : Christophe RAYNAUD

Relu et validé le 8 février 2022 | Read in english

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3. Conclusion

Si les propriétés du carbure de silicium semblent maintenant connues avec précision, il reste encore de nombreuses incertitudes et zones d’ombres. Par exemple, les coefficients d’ionisation sont donnés par plusieurs auteurs avec une grande dispersion. Pour les trous dans le 4H, il y a une décade d’écart entre les valeurs de Raghunathan et celles de Konstantinov (figure  18 ). Mais également, l’évolution de la masse effective des électrons et a fortiori des trous en fonction de la température...

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