1. Propriétés du carbure de silicium (SiC)
C’est en 1907 que les propriétés semi-conductrices du SiC se sont manifestées, alors qu’un cristal de SiC soumis à une tension de 10 V par H.J. Round, se met à produire de la lumière jaune, orange et verte. Les principales propriétés du SiC qui intéressent l’électronique sont résumées dans ce paragraphe.
1.1 Diagramme binaire Si–C
La figure 1 montre le diagramme de phase entre silicium et carbone. Le SiC correspond évidemment à un mélange en égale quantité numérique des deux sortes d’atomes. Il ressort alors qu’il n’existe pas de phase liquide de SiC. En effet, vers 2 700 oC, on assiste à une décomposition du SiC en graphite et en une phase vapeur riche en Si. Ainsi, toutes les techniques de croissance...
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Propriétés du carbure de silicium (SiC)
Modélisation des diodes Schottky en régime direct
Références bibliographiques
- (1) - JACQUIER (C.) - Nouvelles approches de la croissance épitaxiale de SiC : transport chimique en phase vapeur (CVT) et techniques à partir d’une phase liquide Al–Si. - Thèse de doctorat, Univ. Claud Bernard, LYON 1, 220 p., soutenue le 18 déc. 2003.
- (2) - KONSTANTINOV (A.O.) et al - Appl. Phys....
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