Conclusions
Composants de puissance en SiC - Technologie

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Composants de puissance en SiC - Technologie

Auteur(s) : Dominique TOURNIER

Date de publication : 10 février 2007 | Read in english

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5. Conclusions

La disponibilité commerciale de plaquettes de SiC-4 couplée à l’amélioration de la technologie de fabrication vont encourager le développement, la disponibilité et l’utilisation des composants de puissance en carbure de silicium. Les calibres en courant et en tension des diodes Schottky sont désormais compatibles avec une utilisation dans des applications industrielles. La tendance va vers l’augmentation de ces calibres. La commercialisation des diodes et transistors bipolaires implique de résoudre la dégradation des caractéristiques causée par la formation de stacking fault. Les récentes avancées technologiques (croissance RAF et croissance LBP2) laissent présager une commercialisation possible dans la prochaine décennie....

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