1. Modélisation d’une mémoire à semi-conducteurs
Une mémoire générique peut se modéliser sous la forme de trois sous-ensembles (figure 1) qui sont la matrice de mémorisation, la logique de contrôle interne et l’interface d’entrée-sortie (E/S).
les abréviations des signaux dans les schémas sont regroupés dans un tableau en fin d’article.
La matrice (ou grille) comprend les cellules de mémorisation d’une capacité d’un bit, adressées par coïncidence, c’est-à-dire par activation d’une ligne et sélection d’une colonne. Le point mémoire est dit « actif » si le composant qui mémorise l’information est de type actif (i.e. transistor). Il est dit « passif » dans l’autre cas. Pour ce dernier, il appartiendra alors à une grille passive appelée aussi « arrangement à points...
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Modélisation d’une mémoire à semi-conducteurs
Évolution de la cellule et de la matrice de mémorisation
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