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Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel
IN40 v1 Archive

Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Auteur(s) : Philippe BELLEVILLE, Philippe BOY

Date de publication : 10 août 2005

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INTRODUCTION

La chimie peut-elle aider la microélectronique dans sa course à la miniaturisation ? Les chimistes du CEA/Le Ripault ont mis au point une solution à base du meilleur matériau ferroélectrique connu, le PZT, stable sur plus d’une année, reproductible à grande échelle, compatible avec le silicium... Le procédé par voie sol-gel utilisé est beaucoup plus souple et économique que le dépôt sous vide classiquement utilisé, et exploite les machines habituellement consacrées à l’application de résine de gravure sur les substrats de silicium.

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https://doi.org/10.51257/a-v1-in40

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BIBLIOGRAPHIE

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