Composants à hétérostructures : applications en nanoélectronique et nanophotonique
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Composants à hétérostructures : applications en nanoélectronique et nanophotonique

Auteur(s) : Olivier VANBÉSIEN

Date de publication : 10 avr. 2006 | Read in English

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1 - Contexte

2 - Propriétés des hétérostructures unidimensionnelles

  • 2.1 - Hétérostructures simples
  • 2.2 - Hétérostructures multiples

3 - Applications en nanoélectronique et nanophotonique

4 - Hétérostructures bi- et tridimensionnelles

  • 4.1 - Composants balistiques : les guides d'ondes électroniques
  • 4.2 - Boîtes quantiques pour l'émission de lumière

5 - Conclusion

Sommaire

Présentation

RÉSUMÉ

Les hétérostructures semi-conducteurs sont devenues incontournables dans le développement de la nanoélectronique et la nanophotonique. Cet article propose un tour d’horizon de ces composants à hétérostructures et des domaines couverts par leurs applications. Tout récemment, l'obtention d'interfaces de grande qualité permet d'atteindre une précision de l'ordre de la demi-couche atomique. Les exemples retenus illustrent parfaitement l'intérêt de ces structures hors normes : transistors bipolaires à hétérojonctions, effet tunnel résonnant interbande, lasers à cascade quantique. L'article s'ouvre pour terminer sur le confinement multiple avec les hétérostructures bi et tri-dimensionnelles

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Auteur(s)

INTRODUCTION

Les hétérostructures semi-conductrices sont devenues incontournables dans le développement de la nanoélectronique et de la nanophotonique, impliquant l'émergence d'une nouvelle classe de dispositifs basée sur l'exploitation quasi systématique de la nature ondulatoire des particules.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-nm1100

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - GRIFFITH (Z.), RODWELL (M.J.W.), FANG (X.-M.), LOUBYCHEV (D.), WU (Y.), FASTENAU (J.M.), LIU (A.W.K) -   InGaAs/InP DHBTs with 120-nm collector having simultaneously high fT , .  -  IEEE Electron Device Letters, 26(9), p. 530-2 (2005).

  • (2) - TSAI (M.-K.), TAN (S.-W.), YANG (Y.-J.), LOUR (W.-S.) -   Improvements in direct-current characteristics of Al0,45Ga0,55As-GaAs digital-grade superlaticce emitter HBTs with reduced turn-on voltage by wet oxydation.  -  IEEE Transactions on Electron Devices, 50(2), p. 303-9 (2003).

  • (3) - GRIFFITH (Z.), DAHLSTRÖM (M.), URTEAGA (M.), RODWELL (M.J.W.), FANG (X.-M.), LUBYSHEV (D.), WU (Y.), FASTENAU (J.M.), LIU (W.K.) -   InGaAs-InP Mesa DHBTs with simultaneously high fT and fmax and low Ccb/Ic ratio.  -  IEEE Electron Device Letters, 25(5), p. 250-2 (2004).

  • (4) - JING-YUH-CHEN, DER-FENG-CHUO, SHIOU-YING-CHENG, KUAN-MING-LEE, CHUN-YUAN-CHEN, HUNG-MING-CHUANG, SSU-YI-FU, WEN-CHAU-LIU -   A new InP-InGaAs HBT with a superlattice-collector structure.  -  IEEE Electron Device Letters, 25(5), p. 244-6 (2004).

  • ...

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