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Caractérisation des fibres optiques et réseaux par réflectométrie| Réf : IN18 v2
Auteur(s) : Georges ZISSIS, Xavier DE LOGIVIERE
Date de publication : 10 nov. 2011
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L'élément de base de toute diode électroluminescente est un semi-conducteur ayant deux régions de conductivité différente (de type p et n) et une région de recombinaison radiative des porteurs n (électrons) et p (trous). Dans son expression la plus simple, le design d'une LED se réduit à la jonction d'un semi-conducteur dopé de type p avec le même semi-conducteur dopé n. Il s'agit d'une diode électroluminescente dite homojonction. Les LED classiques utilisent encore aujourd'hui cette structure mais, comme nous le verrons plus loin, les nouvelles diodes de forte intensité utilisent des jonctions bien plus complexes.
La figure 6 illustre le principe de fonctionnement d'une homojonction. À l'état d'équilibre, les porteurs majoritaires de chaque zone diffusent vers l'autre zone : les électrons de la zone n ont tendance à diffuser vers la zone p, les trous suivent le chemin inverse. Ces mouvements spontanés perturbent la neutralité électrique locale du système et sont à l'origine de l'apparition d'un champ de charge espace qui s'oppose, à son tour, à ces mouvements, et le système s'équilibre.
Un champ de charge espace est un champ électrique créé à l'intérieur d'une accumulation de charges électriques, souvent décrit comme un « nuage », électriquement neutre d'un point de vue macroscopique.
Par conséquent, le nombre de porteurs minoritaires dans chaque zone (électrons dans la zone p et trous dans la zone n) reste extrêmement faible et la probabilité de recombinaison radiative est quasi nulle. Dans le cas d'une jonction idéale avec de longues zones neutres, les densités des courants inverses liées à la diffusion, jn0 et jp0 , de chaque type de porteur dépendent, entre autres, du carré de la densité des porteurs.
En appliquant maintenant à la jonction une tension de polarisation directe V, la barrière de potentiel s'abaisse d'une valeur égale à eV. Par conséquent, le courant de diffusion des porteurs majoritaires de chaque côté de la barrière vers la zone opposée augmente d'un facteur proportionnel à exp(eV/kBT ), où T est la température de la jonction exprimée en kelvins et kB la constante de Boltzmann.
Cette augmentation du...
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