Approche électronique
Sources et détecteurs aux fréquences térahertz

Traditionnellement, les composants électroniques les plus utilisés aux fréquences térahertz sont les composants dipôles. Rappelons que, en plus basses fréquences, la situation est inverse. En effet, l’essentiel des fonctions électroniques est assuré, dans ce cas, par les transistors que l’on peut considérer comme composants génériques. Cette première remarque n’est pas anodine dans la mesure où l’application préférentielle d’un transistor est l’amplification. Pour le moment cependant, même si l’on fabrique des transistors « térahertziens » dans la mesure où leur fréquence de coupure atteint le térahertz, ils présentent des gains limités en infrarouge lointain. Les valeurs de gain sont en particulier insuffisantes pour assurer la régénération des signaux en amplitude compte tenu de l’absorption très forte des ondes électromagnétiques au-dessus de 100 GHz. Des études sont actuellement en cours pour améliorer cette situation soit à partir d’une technologie unipolaire, soit bipolaire en fabriquant des nanotransistors térahertz. L’état de l’art se situe cependant en bande millimétrique bornée par 300 GHz. Ceci explique le choix des composants de type diode que ce soit pour la génération directe ou pour la conversion de fréquences.