Présentation
RÉSUMÉ
Au sein du milieu scientifique, la nanoélectronique est un axe privilégié par la recherche. En effet, elle représente un enjeu technologique majeur pour faire face aux multiples défis technologiques lancés par la miniaturisation des dispositifs. L’idée est de promouvoir l’interdisciplinarité entre la physique, la chimie, la biologie, etc. Cet article propose une étude de la nanoélectronique qui permet d’ouvrir une porte sur le nanomonde. L’électronique ultime est abordé à travers le transistor monoélectron. Les filières émergentes sont ensuite analysées : composants quantiques, électroniques de spin et moléculaire, et nouvelles architectures.
Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.
Lire l’articleAuteur(s)
INTRODUCTION
Au-delà d'un prolongement naturel de la microélectronique vers les basses dimensions et les très hautes fréquences, la nanoélectronique représente un enjeu technologique majeur. Selon les prévisions, cette (r)évolution se situe à l'horizon 2020 pour le milieu économique, c'est-à-dire aujourd'hui dans les laboratoires de recherche.
DOI (Digital Object Identifier)
Présentation
Article inclus dans l'offre
"Nanosciences et nanotechnologies"
(148 articles)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
Article inclus dans l'offre
"Nanosciences et nanotechnologies"
(148 articles)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - LE ROY (M.), LHEURETTE (E.), VANBÉSIEN (O.), LIPPENS (D.) - Wave-mechanical calculations of leakage current through stacked dielectrics for nanotransistor Metal-Oxide-Semiconductor design. - J. Appl. Phys., 93, no 5, 2966-71 (2003).
-
(2) - WICHMANN (N.), DUSZYNSKI (I.), WALLART (X.), BOLLAERT (S.), CAPPY (A.) - InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate. - IEEE Electron. Device Letters, 25(6), 354-6 (2004).
-
(3) - GAIDIS (M.C.), PICKETT (H.M.), SMITH (C.D.) et coll - A 2.5 THz receiver front end for spaceborne applications. - IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, 48(4), 733-9 (2000).
-
(4) - PEYTAVIT (E.), MOURET (G.), LAMPIN (J.F.), ARSCOTT (S.), MASSELIN (P.), DESPLANQUE (L.), VANBÉSIEN (O.), BOCQUET (R.), MOLLOT (F.), LIPPENS (D.) - Terahertz electromagnetic generation via optical frequency difference. - IEE Proc. Optoelectronics, 149(3), 82-7 (2002).
-
(5) - VERGHESE (S.), MACINTOSH (K.A.), BROWN (E.R.) - Optical and terahertz power limits in the low-temperature-grown GaAs photomixers. - Appl. Phys. Lett., 71(19), 2743-5 (1997).
- ...
Article inclus dans l'offre
"Nanosciences et nanotechnologies"
(148 articles)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.