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Microélectronique

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Microélectronique dans les livres blancs

Microélectronique dans les ressources documentaires

  • Article de bases documentaires
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  • 10 mars 2024
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  • Réf : E1995

Dispositifs HEMT à base de GaN

Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN constitue une alternative intéressante grâce à ses propriétés physiques. Il permet de fabriquer des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence grâce à de bonnes propriétés de transport électronique et une tension de claquage élevée. Cet article décrit les spécificités du semiconducteur et des hétérostructures associées, notamment les polarisations spontanée et piézoélectrique ainsi que les différentes structures développées et les méthodes de croissance utilisées, épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ou sous jets moléculaires, et les problèmes liés au substrat d’accueil (principalement SiC ou Si).

  • ARTICLE INTERACTIF
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  • 10 juin 2025
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  • Réf : E2305

Microsystèmes

Cet article traite de la naissance du concept de microsystème à partir de la microélectronique, et des évolutions depuis les débuts jusqu’aux applications récentes autour des systèmes de capteurs intelligents et connectés. Après quelques définitions, les méthodes de conception d’un microsystème sont données, en s’appuyant sur l’exemple typique de la micro-poutre. Les principes de fonctionnement en mode capteur ou actionneur sont présentés et illustrés par des exemples. Ensuite, les technologies de fabrication de ces microsystèmes sont décrites, en insistant sur les spécificités liées au couplage mécanique-électronique des dispositifs à réaliser, et jusqu’aux problématiques d’interconnexion et mise en boîtier.

  • Article de bases documentaires : RECHERCHE ET INNOVATION
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  • 10 juin 2023
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  • Réf : IN408

Conception d’un circuit à temps négatif à RII d’ordre 2 sur microcontrôleur STM32

Cet article introduit une étude d’un circuit numérique à réponse impulsionnelle infinie (RII) à temps négatif ( t <0). Ce circuit à fonctionnement inhabituel s’identifie avec une possibilité de générer des sorties se comportant en avance par rapport aux entrées. Le principe de fonctionnement, la théorie décrit par diagramme de fréquence-temps et la méthodologie de conception du circuit à t <0 à RII sont validées par simulation et expérience. Divers signaux à formes d’ondes de durée de quelques millisecondes sont testés avec un prototype de circuit à t <0 implémenté sur microcontrôleur STM32 ® . Des applications potentielles telles que la suppression de retard et la pré-détection des défauts sont introduites.

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