2. Du MOSFET planaire aux architectures multi-grille et 3D
Dans des couches minces et/ou faiblement dopées de silicium, l’activation simultanée des canaux avant et arrière par 2, 3 ou 4 grilles induit le phénomène d’inversion volumique . Inconnu dans les composants MOS sur silicium massif, cet effet permet à la charge d’inversion de couvrir l’ensemble du film de silicium, donnant lieu à des dispositifs...
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Du MOSFET planaire aux architectures multi-grille et 3D
Du FDSOI aux technologies émergentes, quasi-SOI et hybrides
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