2. Modélisation électrique des transistors hautes fréquences
2.1 Modèle linéaire pour un transistor à effet de champ
L’approche ci-dessous décrit le modèle équivalent dit « petit signal » applicable à tout transistor à effet de champ III-V et silicium. Ce modèle est une représentation électrique approchée et macroscopique de phénomènes physiques complexes. Toutefois, sa validité a été démontrée jusqu’en gamme millimétrique dans le cas des HEMT et MOSFET. Ce modèle est une solution simple et efficace pour la conception de circuits intégrés micro-ondes et millimétriques fonctionnant en régime linéaire (par exemple : amplificateurs faible bruit).
La figure 3 donne la représentation de base d’un tel schéma. Les éléments de ce schéma sont généralement directement...
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Modélisation électrique des transistors hautes fréquences
Conclusion
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