4. Caractérisation des structures
La caractérisation des matériaux et des dispositifs SOI est une opération rendue délicate par la minceur du film de silicium, la présence de l'oxyde enterré et la configuration multi-interface de la structure. On doit aussi affronter des conditions particulières (contraintes mécaniques, inhomogénéités d'épaisseur) ainsi que des défauts spécifiques .
Toute la panoplie des techniques physico-chimiques (spectroscopies de diffusion élastique RBS, d'électrons Auger, spectrométrie de masse des ions secondaires...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Caractérisation des structures
Transistors MOS à déplétion totale
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Quiz et tests de validation présents dans cet article
Entraînez-vous autant que vous le voulez avec les quiz d'entraînement.
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
