ALD pour les piles à combustible à haute température

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RE256 V1 Recherche et innovation

ALD pour les piles à combustible à haute température

Auteur(s) : Michel CASSIR, Dorra DALLEL, Arturo MELENDEZ-CEBALLOS, Marie-Hélène CHAVANNE, Armelle RINGUEDE

Date de publication : 10 octobre 2016 | Read in english

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RÉSUMÉ

La nanostructuration par couches minces de différentes zones interfaciales des piles à combustible à haute température, notamment celles à oxyde solide (SOFC), est primordiale pour améliorer les performances et la durée de vie de ces dispositifs de génération d’énergie. Le dépôt par couches atomiques (ALD) est une technique de choix pour la mise en œuvre de films minces de très grande qualité, homogènes, denses et conformes. Cet article montre les avancées et le potentiel de l’ALD essentiellement pour les systèmes SOFC, mais aussi pour les piles à combustibles à carbonates fondus (MCFC) et à oxyde solide conducteur de protons (PCFC).

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AUTEUR(S)

  • Michel CASSIR : Professeur - Chimie ParisTech, PSL Research University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris (IRCP), F-75005 Paris, France

  • Dorra DALLEL : Post-doctorante - Chimie ParisTech, PSL Research University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris (IRCP), F-75005 Paris, France

  • Arturo MELENDEZ-CEBALLOS : Doctorant - Chimie ParisTech, PSL Research University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris (IRCP), F-75005 Paris, France

  • Marie-Hélène CHAVANNE : Ingénieur d’Études - Chimie ParisTech, PSL Research University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris (IRCP), F-75005 Paris, France

  • Armelle RINGUEDE : Chargée de recherche - Chimie ParisTech, PSL Research University, CNRS, Institut de Recherche de Chimie Paris (IRCP), F-75005 Paris, France

 INTRODUCTION

Les couches minces fonctionnalisées (électrolytes ultraminces, barrière de diffusion, barrière électronique, catalyseurs, etc.) ont un rôle prépondérant dans les nouvelles générations de piles à combustible, notamment celles dites à haute température (SOFC, MCFC, PCFC…). Parmi les techniques de dépôt, le dépôt par couches atomiques (ALD) est particulièrement approprié pour augmenter les performances des générateurs électrochimiques mentionnés. Son efficacité est mise en évidence dans les applications SOFC depuis moins de vingt ans. L’ALD apparaît incontournable pour des systèmes micro-SOFC où l’intégration de couches minces est l’aspect névralgique. Cependant, l’ALD acquiert aussi une position de premier plan dans les systèmes de plus grande dimension pour la production stationnaire d’énergie électrique et thermique, où cette technique se positionne plutôt au niveau de couches interfaciales responsables des hautes performances. Le rôle de l’ALD pour élaborer des couches protectrices de la corrosion d’électrodes ou de plaques d’interconnexion est aussi introduit dans le cas des cathodes des MCFC. L’intérêt de l’ALD est potentiellement fort dans les PCFC et les électrolyseurs à haute température.

Points clés

Domaine  : Génération électrochimique d’énergie

Degré de diffusion de la technologie  : Émergence et Croissance

Technologies impliquées  : Piles à combustible à haute température

Domaines d’application  : Énergie propre

Principaux acteurs français  :

  • Pôles de compétitivité : Grenoble Alpes Métropole, PHYRENEES, Pôle Véhicule du futur, TENNERDIS, etc.

  • Centres de compétence : Toutes les informations peuvent être trouvées sur les sites de l’Association Française pour l’Hydrogène ( http://www.afhypac.org ) et le GDR HYSPAC ( http://www.gdr-hyspac.cnrs )

  • Industriels : Dassault, Air liquide, EDF, GDF, HELION, Axane, Paxitech, MCPHY Energy, etc.

Autres acteurs dans le monde  : FCE (Fuel Cell Energy), Delphi, Bloom Energy (États-Unis), Solidpower (Italie), POSCO (Corée du Sud), Mitsubishi Heavy Industries et Toshiba (Japon), BMW (Allemagne), etc.

Contact  : [email protected]

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MOTS-CLÉS

pile à combustible   |   dépôt par couches atomiques   |   pile à combustible à haute température   |   SOFC   |   MCFC   |   PCFC

DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)

https://doi.org/10.51257/a-v1-re256

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