Optimisation des bâtis et procédé pour la croissance ALD
Dépôt par Couche Atomique spatiale (SALD)

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Optimisation des bâtis et procédé pour la croissance ALD
Dépôt par Couche Atomique spatiale (SALD)

Auteur(s) : David MUÑOZ-ROJAS

Date de publication : 10 septembre 2026

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3. Optimisation des bâtis et procédé pour la croissance ALD

Le premier avantage majeur de l’ALD spatiale (SALD) par rapport à l’ALD classique est que les dépôts peuvent être beaucoup plus rapides. Le taux de dépôt maximal réalisable dépend bien sûr du type de réacteur utilisé, mais il dépend toujours, en dernier ressort, des propriétés des différents précurseurs et de la vitesse de réaction. La durée pendant laquelle le substrat est en contact avec le flux de précurseurs doit être assez longue pour permettre une réaction complète (c’est-à-dire une saturation de la surface). La vitesse du substrat doit donc être ajustée pour garantir la saturation de la surface 

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