Présentation
RÉSUMÉ
Le dépôt sélectif par zone est une technique qui permet de déposer un matériau uniquement sur certaines zones d’un substrat, sans étape de photolithographie et de gravure. Il repose fondamentalement sur un contraste de réactivité de surface qui empêche la croissance là où elle n’est pas souhaitée tout en la permettant là où elle est souhaitée, grâce à un procédé de dépôt par couches atomiques. Sur un substrat, le contraste inhérent de réactivité est généralement peu marqué, et peut être accentué soit par une activation ou par une désactivation de la surface afin de favoriser ou bloquer, respectivement la croissance.
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Lire l'articleAUTEUR(S)
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Marceline BONVALOT : Enseignant-Chercheur - LTM-CNRS, CEA-LETI, Grenoble, France
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Rémy GASSILLOUD : Ingénieur de Recherche - Université Grenoble Alpes, CEA-LETI, Grenoble, France
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Vincent JOUSSEAUME : Directeur de Recherche - Université Grenoble Alpes, CEA-LETI, Grenoble, France
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David MUÑOZ-ROJAS : Directeur de Recherche CNRS - Université Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, LMGP, Grenoble, France
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Christophe VALLÉE : Professeur - University at Albany, College of Nanotechnology Science and Engineering, Albany, NY, USA
INTRODUCTION
Cet article traite des procédés de dépôt sélectif ( Area Selective Deposition , ASD) et des solutions techniques qui permettent de déposer un matériau uniquement sur certaines zones d’un substrat, sans étape de lithographie et de gravure. Le principe fondamental de l’ASD repose sur un contraste de réactivité de surface pour que la croissance d’un matériau ait lieu là où elle est souhaitée, et soit empêchée ailleurs. Dans le contexte de l’ultra-miniaturisation des dispositifs de la microélectronique, l’ Atomic Layer Deposition (ALD) joue un rôle central dans le développement de l’ASD.
Dans un premier temps, nous définissons la sélectivité inhérente caractéristique de l’ALD, en examinant le délai de nucléation et les mécanismes fondamentaux responsables de cette sélectivité (§ 1 ). Puis nous décrivons les différentes approches permettant d’augmenter cette sélectivité (§ 2 ) :
– activation sélective des zones de croissance, par exemple par des traitements plasma ou chimiques dédiés, favorisant la nucléation et la croissance du matériau déposé ;
– inhibition sélective des zones de non-croissance par passivation chimique retardant ou bloquant la nucléation, résultant de l’utilisation de monocouches auto-assemblées, d’inhibiteurs moléculaires ou de traitements chimiques ;
– définition de super-cycles de type ABC combinant au choix inhibition, passivation, nettoyage sélectif et étape de réactivation de surface, permettant d’entretenir la sélectivité d’un procédé ALD au cours d’un dépôt....
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MOTS-CLÉS
fabrication additive | dépôt par couches atomiques | Dépôt sélectif de surface | Dépôt sélectif topographique | Croissance ascendante ou bottom-up
DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)
RÉFÉRENCE BIBLIOGRAPHIQUE
Dépôt sélectif par zone - ASD
Dépôt sélectif par zone : contexte et définition
Sources bibliographiques
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