Autres compositions étudiées
Matériau PZT compatible avec le silicium - Procédé de dépôt par voie sol-gel

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Matériau PZT compatible avec le silicium - Procédé de dépôt par voie sol-gel

Auteur(s) : Philippe BELLEVILLE, Philippe BOY

Date de publication : 10 août 2005

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5. Autres compositions étudiées

La variation de la polarisation des films PZT avec le champ électrique se traduit par une dépendance importante des propriétés diélectriques au potentiel appliqué (figure  10 ). Cela est particulièrement vrai pour la composition optimale PbZr 0,5 Ti 0,5 O 3 . Il en découle la nécessité de mettre au point des procédés de dépôt parfaitement reproductibles. C’est une des forces de la méthode mise au point au laboratoire.

De plus, les films PZT peuvent présenter une faible résistance à la fatigue quand on réalise des balayages en potentiels 

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