Avantages du procédé
Matériau PZT compatible avec le silicium - Procédé de dépôt par voie sol-gel

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Avantages du procédé
Matériau PZT compatible avec le silicium - Procédé de dépôt par voie sol-gel

Auteur(s) : Philippe BELLEVILLE, Philippe BOY

Date de publication : 10 août 2005

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3. Avantages du procédé

Le procédé proposé ici met en avant plusieurs avantages visant à faciliter l’intégration de ce mode de préparation dans le milieu de l’industrie microélectronique.

  • Utilisation de solvants en respect avec la réglementation et les normes environnementales, notamment éviction du méthoxyéthanol, hautement toxique et prohibé en milieu industriel, remplacé ici par l’éthylèneglycol.

  • Obtention d’excellentes performances diélectriques ( ε élevé » 1 000) pour de très faibles épaisseurs de films (typiquement comprises entre 150 et 250 nm), conduisant par là même à des valeurs de densités surfaciques de capacités exceptionnelles (40 nF/mm 2 ).

  • Mode de...

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