Spectrométrie de masse d'ions secondaires : SIMS et ToF-SIMS - Principes et appareillages

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P2618 V4 Article de référence

Spectrométrie de masse d'ions secondaires : SIMS et ToF-SIMS - Principes et appareillages

Auteur(s) : Evelyne DARQUE-CERETTI, Marc AUCOUTURIER, Patrice LEHUÉDÉ

Relu et validé le 5 janvier 2019

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RÉSUMÉ

Cet article est consacré à l’analyse des matériaux par spectrométrie de masse d’ions secondaires. Il présente d’abord les principes de la méthode, basée sur la mesure par spectrométrie de masse de la composition de la matière pulvérisée par un faisceau d’ions, d’amas ionisés ou de particules d’énergie modérée (inférieure à 20 keV). Sont décrits ensuite les différents appareillages avec plusieurs types de sources d’ions primaires et les principaux types de spectromètres de masse : par déflection des ions secondaires dans un secteur magnétique, par tri de ces ions dans un quadripôle ou par mesure de leur temps de vol.

AUTEUR(S)

  • Evelyne DARQUE-CERETTI : Docteur es-science, maître de recherche à MINES-ParisTech - Chef de groupe au Centre de mise en forme des matériaux (CEMEF)

  • Marc AUCOUTURIER : Ancien directeur de recherche au CNRS - Chercheur au Centre de recherche et de restauration des musées de France (C2RMF)

  • Patrice LEHUÉDÉ : Ancien ingénieur au Centre de recherche de Saint-Gobain - Chercheur au Centre de recherche et de restauration des musées de France (C2RMF)

 INTRODUCTION

Sommaire

1. Principes de base

1.1 Mécanismes physiques

1.2 Rendements analytiques

1.3 Nature et provenance des ions secondaires

2. Types de détection et modes d’analyse des ions secondaires

2.1 Détection séquentielle, parallèle ou par temps de vol

2.2 Mode microscope et mode microsonde

3. Régimes de pulvérisation statique et dynamique

4. Appareillages et paramètres principaux

4.1 Composants de base

4.2 Production et optique des ions primaires

4.3 Traitement et spectrométrie des ions secondaires

4.4 Détection et imagerie

5. Conclusion

Pour en savoir plus

L'analyse ionique par spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS) est l'une des méthodes d'analyse des matériaux fondées sur le bombardement par des ions. Elle peut être qualifiée de méthode de microanalyse au sens où le volume analysé instantanément possède une de ses dimensions bien inférieure au micromètre (les autres dimensions étant souvent de quelques micromètres). Elle se base sur une irradiation de la cible à analyser par des ions lourds , ou par des amas polyatomiques chargés (clusters) , éventuellement par des particules neutres. L'énergie du faisceau incident ( faisceau primaire ) est de quelques centaines d'électronvolts à 50 keV. L'interaction du faisceau incident avec le matériau se traduit par la pulvérisation de la cible sous forme de particules, chargées ou non ( ions ou particules secondaires ). Ce sont ces particules ionisées au cours du processus de pulvérisation (ou parfois par post-ionisation des particules neutres pulvérisées) qui sont filtrées en masse (éventuellement en énergie) pour accéder à la composition de l'échantillon-cible.

Les performances générales propres à l'analyse ionique par spectrométrie de masse d'ions secondaires des matériaux solides peuvent se résumer comme suit :

  • une très grande sensibilité (de très faibles limites de détection, dans le domaine des ppb dans les cas favorables) pour la quasi-totalité des éléments de la classification périodique (analyse de traces) ;

  • l'accès à l'analyse isotopique élémentaire (emploi...

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MOTS-CLÉS

Pulvérisation ionique   |   Résolution en masse   |   Pulvérisation ionique   |   Résolution en masse

VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)

https://doi.org/10.51257/a-v4-p2618

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