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Introduction
La centrale de micro- nanotechnologie IEF-MINERVE
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Introduction
La centrale de micro- nanotechnologie IEF-MINERVE

Auteur(s) : Jean-Michel LOURTIOZ, Jean AUBERT, Frédéric HAMOUDA, Jean-Luc PERROSSIER

Date de publication : 10 oct. 2005

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RÉSUMÉ

Afin de répondre aux nouveaux défis face à la réduction de la taille des composants, circuits et systèmes, les micro-nanotechnologies sont désormais un des axes prioritaires de la recherche. Cet article propose ainsi une explication du cahier des charges de la centrale de micro-nanotechnologie universitaire IEF-MINERVE, qui fait partie du réseau technologique de base (RTB). Dans un premier temps, une description de la centrale est proposée : conception, procédés technologiques et équipements de la centrale. Ensuite, quelques projets de micro-nanotechnologie de la centrale IEF-MINERVE sont exposés, notamment sur le nanodispositif magnétique à ancrage de parois de domaine.

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INTRODUCTION

Les micro-nanotechnologies constituent aujourd'hui un des axes prioritaires de recherche en France et de par le monde. Il s'agit en effet de répondre aux nouveaux défis que pose la réduction de taille des composants, circuits et systèmes à des échelles qui côtoient le nanomètre (le millionième de millimètre). Cette course à la miniaturisation et à la densification de l'information suppose aussi un croisement fertile entre des disciplines scientifiques très diverses que l'on regroupe sous le vocable de « nanosciences ». Pour faire face aux défis ainsi posés à la recherche scientifique, la France se dote aujourd'hui d'un réseau de grandes centrales de micro-nanotechnologie, encore appelé réseau technologique de base (RTB). La centrale universitaire IEF-MINERVE, inaugurée sur le campus d'Orsay le 24 novembre 2004, fait partie de ce réseau. Le présent dossier a pour but d'illustrer, à travers les objectifs spécifiques de cette centrale, le cahier des charges techniques et les moyens à mettre en œuvre pour rendre opérationnelle une centrale de micro-nanotechnologie à vocation nationale.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-nm1300

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1. Introduction

Jean-Michel LOURTIOZ

Ancien élève de l’École centrale des arts et manufactures

Directeur de recherche au Centre national de la recherche scientifique, Institut d’électronique fondamentale, Orsay

Jean AUBERT

Professeur des Universités - Faculté des Sciences d’Orsay - Institut d’électronique fondamentale, Orsay

Frédéric HAMOUDA

Docteur en Sciences, Ingénieur de Recherche CNRS, responsable de la CTU IEF-MINERVE

Institut d’électronique fondamentale, Orsay

Jean-Luc PERROSSIER

Ingénieur de Recherche CNRS, responsable des services fonctionnement salles blanches et caractérisation de la CTU IEF-MINERVE

Institut d’électronique fondamentale, Orsay

Toute l'évolution de l'électronique des dernières années a été dictée par la miniaturisation. La miniaturisation dans ce domaine s'impose d'elle-même, car :

  • d'une part, une plus grande densité de transistors sur les « puces » électroniques offre la possibilité de mémoriser et de traiter un plus grand nombre d'informations ;

  • d'autre part, une taille réduite de composants favorise la commutation rapide de ces composants et permet, en fin de compte, un traitement plus rapide des informations.

CMOS : Complementary Metal Oxide Semi- conductor

Depuis les cinquante dernières années, l'évolution des circuits électroniques a ainsi été régie par ce qu'on a appelé la loi de Moore (G. Moore, fondateur d'INTEL), loi prédictive selon laquelle la longueur de grille des transistors CMOS se réduit d'un facteur deux tous les dix-huit mois environ, ce qui revient à un accroissement par un facteur mille du nombre de transistors par puce de silicium tous les vingt ans (figure 1). La loi de Moore a bien été respectée et l'on est près de dépasser 100 millions de transistors par microprocesseur : le rêve du physicien Richard Feynman , qui était de concentrer toute l'encyclopédie universelle sur une tête d'épingle,...

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - FEYNMAN (R.) -   There's plenty of room at the bottom.  -  Eng. Sci. 23, p. 22-36 (1960) : voir aussi le site : http://www.zyvex.com/nanotech/feynman.html

  • (2) - WHYTE (W.) -   Les technologies de Salle Propre, Principes de conception, de qualification, d'exploitation.  -  SB.COM Éditeur, ISBN 2-9517425-4-1, 1re édition (2003).

  • (3) -   Guide de l'Ultra-Propreté.  -  5e édition. BCMI SA – Bureau pour la Connaissance des Marchés Industriels – Études et conseils (2005).

  • (4) - DE LABACHELERIE (M.) -   Techniques de fabrication des microsystèmes.  -  Hermes, Lavoisier (2004).

  • (5) - DUPAS (C.), HOUDI (P.), LAHMANI (H.) -   Les nanosciences.  -  Belin (2004).

  • (6) - CHRISEY (D.B.), HUBLER (G.K.) (éditeurs) -   Pulsed laser deposition of thin films.  -  ...

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