Dépôts par pulvérisation cathodique

   1 Description générale de la technique

   2 Mécanisme physique de la pulvérisation

   3 Caractéristiques du phénomène de pulvérisation

   3.1 Seuil de pulvérisation

   3.2 Rendement de pulvérisation

   4 Caractéristiques du flux de particules pulvérisées

   4.1 Nature des particules

   4.2 Répartition angulaire des particules

   4.3 Énergie des particules

   4.4 Croissance des couches pulvérisées

   4.5 Porosité des dépôts

   5 Techniques de pulvérisation et appareillages

   5.1 Vide

   5.2 Ionisation des gaz

   5.21 Généralités

   5.22 Décharge luminescente

   5.3 Procédé diode en tension continue ou diode DC

   5.31 Description

   5.32 Matériaux déposés

   5.33 Substrats

   5.34 Vitesses de dépôts

   5.4 Pulvérisation en radiofréquence ou procédé diode RF

   5.41 Principe de fonctionnement

   5.42 Équipements

   5.5 Pulvérisation magnétron

   5.51 Effet magnétron

   5.52 Différentes formes de cathodes magnétrons

   5.53 Conditions d'exploitation des magnétrons

   5.6 Procédé triode

   5.61 Principe de fonctionnement

   5.62 Caractéristiques du procédé

   6 Pulvérisation de matériaux composés

   6.1 Dépôts d'alliages

   6.11 Pulvérisation directe de l'alliage

   6.12 Copulvérisation des constituants

   6.2 Pulvérisation des composés chimiques

   6.21 Modification de la surface bombardée

   6.22 Nature des particules pulvérisées

   6.3 Pulvérisation réactive

   6.31 Principe

   6.32 Conditions de mise en œuvre

   7 Uniformité d'épaisseur

   8 Préparation des surfaces avant dépôt

   8.1 Nettoyage avant chargement

   8.11 Dégraissage

   8.12 Décapage

   8.2 Traitement des substrats avant dépôt

   8.21 Effluvage (glow discharge cleaning)

   8.22 Nettoyage par attaque ionique

   8.23 Dégazage par chauffage sous vide

   9 Machines de dépôts sous vide

   9.1 Variantes de machines à fournées

   9.2 Variantes de machines en semi-continu

   9.3 Variantes de machines en continu

   Index bibliographique