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Article de référence | Réf : E3335 v1
Auteur(s) : Charlotte TRIPON-CANSELIET
Date de publication : 10 janv. 2014
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Optique Photonique (218 articles en ce moment)
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3.1 Description générale de la photoconductivité
L'effet photoconducteur est un phénomène optoélectronique à la base de nombreux dispositifs de détection ; on le rencontre couramment à plusieurs niveaux. Ainsi, il permet aussi bien de produire la photocopie de documents que d'assurer le traitement de données transmises par voie optique dans le domaine des télécommunications, comme par exemple Internet.
Dans cette étude, nous exposons l'interaction lumière/semi- conducteur mettant en jeu divers processus physiques et devenant un outil de commutation de circuits électriques. Nous nous limiterons ici au cas d'une absorption directe de la lumière dans le matériau semi-conducteur et au cas particulier d'une absorption indirecte des deux photons.
HAUT DE PAGE3.2 Absorption de la lumière dans un matériau semi-conducteur
3.2.1 Cas général de l'absorption directe
Un matériau semi-conducteur est un matériau isolant, qui, sous une contrainte externe de nature thermique, électrique ou optique, devient conducteur. En effet, sous excitation externe, les populations en porteurs libres des niveaux d'énergie constituant ce matériau se modifient : un électron situé dans la bande de valence est transféré dans la bande de conduction faisant apparaître un trou au niveau de la bande de valence. L'énergie apportée par la contrainte extérieure doit être alors supérieure ou égale à l'énergie de gap séparant les bandes de valence et de conduction pour que des paires électron-trou soient générées.
Un matériau semi-conducteur peut être de deux types :
intrinsèque : il est constitué d'atomes identiques ou d'un regroupement d'atomes. Ses concentrations en électrons n et en trous p sont égales ;
extrinsèque : un apport d'électrons (type n) ou de trous (type p) par dopage est réalisé durant la fabrication du matériau semi-conducteur. Les concentrations en électrons n et en trous...
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OPTIQUE PHOTONIQUE
(1) - SALEH (B.E.A.), TEICH (M.C.) - Fundamentals of photonics. - Wiley Interscience.
(2) - VIGNAUD (D.) et al - Electron lifetime of heavily Be-doped InGaAs as a function of growth temperature and doping density. - Applied Physics Letters, 80, no 22, p. 4151-4153, juin 2002.
(3) - YONEYAMA (M.) et al - A differential photoconductive and gate with Be-doped low-temperature-grown InGaAs-InAlAs MQW MSM-PD's. - IEEE Journal of Quantum Electronics, 33, no 8, p. 1308-1315, août 1997.
(4) - SUKHOTON (M.) et al - Picosecond photocarrier-lifetime in ErAs : InGaAs at 1,55 μm. - Applied Physics Letters, 83, no 19, p. 3921-3923, nov. 2003.
(5) - BERTULIS (K.), KROTKUS (A.), ALEKSEJENKO (G.), PACEBUTAS (V.), ADOMAVICIUS (R.) et al - GaBiAs : a material for optoelectronic terahertz devices. - Appl. Phys. Lett., 88, p. 201112 (2006).
(6)...
Société Française d'Optique, Club optique et micro-ondes http://www.sfoptique.org/SFO/club-omw/
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IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics http://www.ieee/conferences_events
International Asia-Pacific Microwave Photonics Conference (APMP)
IEEE European Microwave Conference (EuMC) http://www.eumweek.com)
IEEE International Microwave Symposium (IMS) http://www.imsconferences.com
SPIE Photonics Europe http://www.spie.org/photonics-europe.html
SPIE Photonics West http://www.spie.org
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Quelques brevets sur les photocommutateurs hyperfréquences
ALQUIÉ (.G), CHAZELAS (J.), COUTAZ (J.-L.), DECOSTER (D.), FORMONT (S.), MAGNIN (V.), ROUX (J.-F.), TRIPON-CANSELIET (Ch.). – Dispositif pour confiner l'onde optique de commande dans la zone active d'un dispositif électronique à commande optique, FR2908569 (A1), 16 mai 2008
FORMONT (S.), CHAZELAS (J.), ALGANI (C.), ALQUIE (G.), CANSELIET (Ch.), DESHOURS (F.). – Commutateur...
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