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GaN SiC power MOSFET device RF CMOS

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GaN SiC power MOSFET device RF CMOS dans les livres blancs


GaN SiC power MOSFET device RF CMOS dans les conférences en ligne


GaN SiC power MOSFET device RF CMOS dans les ressources documentaires

  • Article de bases documentaires
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  • 10 févr. 2007
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  • Réf : D3120

Composants de puissance en SiC

(V.) et al - SiC and GaN bipolar power devices. , ou de déterminer des « zones privilégiées » d... démontrée expérimentalement  CHOW (T.P.) - High-Voltage SiC Devices for Power Applications-Future Prospects... Impact of 75 mm plus SiC High Quality Substrates and Epitaxial Layers on High Power Semiconductor Device... ohmic contacts on 4H-SiC for high power and high temperature device applications. . Oxyde de champ...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • Article de bases documentaires
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  • 10 août 2012
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  • Réf : E1990

Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

fréquence (minimisation des pertes en commutation) BALIGA (B.J.) - Power semiconductor Device Figure of... aux applications RF. Pour en savoir plus, on pourra consulter sur Internet les références The SiC market. 2010... (R.), PALMOUR (J.), HAYASHI (T.) - 12-19 kV 4H-SiC pin diodes with low power loss TSUCHIDA (H... (R.), PALMOUR (J.), HAYASHI (T.) - 12-19 kV 4H-SiC pin diodes with low power loss . Pour arriver...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • Article de bases documentaires
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  • 10 nov. 2017
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  • Réf : E1996

Dispositifs HEMT à base de GaN

sont le GaGaAs et l’InP, et plus récemment les semi-conducteurs dit grand gap, tels que le SiC et le GaN... de pièges La plupart des HEMTs GaN sont fabriqués à partir d’hétéroépitaxies sur Si, SiC... . Cette couche de cap est généralement en GaN ou en SiN. L’augmentation de l’épaisseur de la couche de protection... piézoélectrique et spontanée dans le cas d’une barrière AlGaN avec un pourcentage d’aluminium de 29% est de −0,06C...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • Article de bases documentaires : FICHE PRATIQUE
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  • 28 avr. 2011
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  • Réf : 0126

Étude d’impact ERS : calcul du risque

L’objectif de l’ERS est de caractériser les risques auxquels sont soumises les cibles potentielles. Pour cela, les éventuels dangers liés aux produits utilisés et aux installations ont été identifiés et une relation dose / effets a été définie, lorsque cela était possible. L’exposition des cibles potentielles a été évaluée. La dernière étape de l’évaluation du risque sanitaire est de calculer le risque et de déterminer s’il est acceptable.

  • Comment calculer un risque ?
  • Comment estimer qu’un risque est acceptable ?

180 fiches actions pour auditer et améliorer vos réponses aux obligations relatives aux installations classées pour la protection de l'environnement

  • Article de bases documentaires : FICHE PRATIQUE
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  • 18 juil. 2011
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  • Réf : 0142

Fabrication d’une substance : déterminer si c’est une mise sur le marché au sens de la réglementation REACh

Vous fabriquez une substance chimique. Vous vous demandez si cette fabrication vous oblige à répondre aux obligations de mise sur le marché de la réglementation REACh. Une analyse des substances fabriquées est nécessaire.

La réglementation REACh détermine les obligations suivant l'utilisation des produits chimiques. En tant que fabricant, êtes-vous responsable de leur mise sur le marché ? Quelle sont les informations permettant de s’en assurer ? Comment doivent être considérés vos stockages ?

100 fiches actions pour auditer et améliorer vos réponses aux obligations liés aux produits ou substances chimiques : santé et sécurité, usages, scénario d’exposition, autorisations, restrictions, étiquetage…

  • Article de bases documentaires : FICHE PRATIQUE
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  • 03 avr. 2015
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  • Réf : 1469

La mole et le système international d’unités (SI)

La métrologie est la « science des mesures et ses applications » (VIM §2.2). En fait, historiquement, la métrologie avait plutôt un but politique : il s’agissait d’instaurer un système unique d’unités de mesure qui régulerait les activités techniques et économiques d’un pays. C’est en Chine, durant le 2siècle avant JC, qu’aurait eu lieu la création d’un premier système unique de mesure et de monnaie. Aujourd’hui, on parle de système international d’unités ou SI car la grande majorité des pays l’ont adopté. Il existe cependant quelques persistances obsolètes, comme le gallon ou le mile aux États-Unis, ou le baril pour les pétroliers et le degré Celsius en chimie.

Si vous êtes dans un laboratoire accrédité, régulièrement audité par le CoFRAC, la norme ISO 17025 vous demande « d’assurer la traçabilité des étalonnages et des mesurages effectués par le laboratoire par rapport au système international d’unités (SI) ». En conséquence, il n’est pas inutile de se pencher sur la façon dont fonctionne le SI.

Les fiches pratiques répondent à des besoins opérationnels et accompagnent le professionnel en le guidant étape par étape dans la réalisation d'une action concrète.


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