# GaN SiC power MOSFET device RF CMOS

en capacité de puissance RF par rapport à une structure classique sur substrat SiC : réduction... plus de puissance RF qu’un transistor sur substrat SiC, ce qui [...]

the main origin of propagation losses in GaN on Si devices at microwave frequencies . . Il a été... (111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low [...]

qu’on peut cointégrer nMOS et pMOS, d’où le nom CMOS pour Complementary MOSFET . Si un seul type de transistor... et on s’approche de la commutation idéale  CASSE (M.) et al - FDSOI for cryoCMOS [...]