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GaN SiC power MOSFET device RF CMOS

GaN SiC power MOSFET device RF CMOS dans les ressources documentaires

  • Article de bases documentaires
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  • 10 févr. 2007
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  • Réf : D3120

Composants de puissance en SiC

(V.) et al - SiC and GaN bipolar power devices. , ou de déterminer des « zones privilégiées » d... démontrée expérimentalement  CHOW (T.P.) - High-Voltage SiC Devices for Power Applications-Future Prospects... Impact of 75 mm plus SiC High Quality Substrates and Epitaxial Layers on High Power Semiconductor Device... ohmic contacts on 4H-SiC for high power and high temperature device applications. . Oxyde de champ...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • Article de bases documentaires
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  • 10 août 2012
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  • Réf : E1990

Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

fréquence (minimisation des pertes en commutation) BALIGA (B.J.) - Power semiconductor Device Figure of... aux applications RF. Pour en savoir plus, on pourra consulter sur Internet les références The SiC market. 2010... (R.), PALMOUR (J.), HAYASHI (T.) - 12-19 kV 4H-SiC pin diodes with low power loss TSUCHIDA (H... (R.), PALMOUR (J.), HAYASHI (T.) - 12-19 kV 4H-SiC pin diodes with low power loss . Pour arriver...

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  • Article de bases documentaires
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  • 10 nov. 2017
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  • Réf : E1996

Dispositifs HEMT à base de GaN

sont le GaGaAs et l’InP, et plus récemment les semi-conducteurs dit grand gap, tels que le SiC et le GaN... de pièges La plupart des HEMTs GaN sont fabriqués à partir d’hétéroépitaxies sur Si, SiC... . Cette couche de cap est généralement en GaN ou en SiN. L’augmentation de l’épaisseur de la couche de protection... piézoélectrique et spontanée dans le cas d’une barrière AlGaN avec un pourcentage d’aluminium de 29% est de −0,06C...

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