Glossaire

# GaN SiC power MOSFET device RF CMOS

Dans les ressources documentaires

Articles de références et fiches pratiques à propos de : GaN SiC power MOSFET device RF CMOS

Composants de puissance en SiC
Réf : D3120

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10 févr. 2007

Dispositifs HEMT à base de GaN
Réf : E1995

en capacité de puissance RF par rapport à une structure classique sur substrat SiC : réduction... plus de puissance RF qu’un transistor sur substrat SiC, ce qui [...]

10 mars 2024

Dispositifs HEMT à base de GaN
Réf : E1996

the main origin of propagation losses in GaN on Si devices at microwave frequencies . . Il a été... (111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low [...]

10 juil. 2024

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