Article

1 - INTRODUCTION GÉNÉRALE

2 - ASPECTS GÉNÉRAUX DU SIC

3 - TECHNOLOGIES DE FABRICATION DES COMPOSANTS

  • 3.1 - Dopage par implantation ionique
  • 3.2 - Métallisation et formation des contacts
  • 3.3 - Oxyde de champ et passivation
  • 3.4 - Encapsulation haute température

4 - INTERRUPTEURS DE PUISSANCE EN SIC

5 - CONCLUSIONS

Article de référence | Réf : D3120 v2

Composants de puissance en SiC - Technologie

Auteur(s) : Dominique TOURNIER

Date de publication : 10 févr. 2007

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Auteur(s)

  • Dominique TOURNIER : Docteur en génie électrique - Maître de Conférences à l’INSA Lyon

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INTRODUCTION

L’amélioration de la qualité du matériau de base et de la technologie de fabrication a permis le développement de nombreux composants de puissance en carbure de silicium, reflétant l’évolution de la maturité de cette nouvelle filière technologique au cours de ces dernières années. Cette évolution se traduit par les débouchés commerciaux actuels et futurs, tout comme le développement d’interrupteurs spécifiques pour la protection série des installations électriques.

Ce dossier présente les récents progrès et réalisations des composants de puissance en carbure de silicium, les points clés relatifs au matériau et à la technologie de fabrication, les potentialités et réalisations de ce matériau semi-conducteur dont l’utilisation permet d’ores et déjà de repousser les limites de la filière silicium.

Le dossier suivant [D 3 122] décrit des applications telles que la conversion d’énergie et la limitation de courant.

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De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

VERSIONS

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v2-d3120


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - ESAME (O.) et al -   Performance comparison of state-of-the-art heterojunction bipolar devices (HBT) based on AlGaAs/GaAs, Si/SiGe and InGaAs/InP.  -  Microelectronics Journal 35, 901-908 (2004).

  • (2) -   *  -  http://www.compoundsemiconductor.net/articles/magazine/11/6/2/1.

  • (3) -   *  -  http://compoundsemiconductor.net/articles/magazine/8/1/7/1.

  • (4) - BERZELIUS (J.J.) -   Unterfuchungen über die Flufsfpathfäure und deren merkwürdigften Verbindungen.  -  Annalen der Physik und Chemie. vol. 1, p. 169-230 (1824).

  • (5) - MOISSAN (H.) -   Étude du Siliciure de carbone de la météorite de cañon Diablo.  -  Compte-Rendu des Séances de l’Académie des Sciences, Paris. vol. 140, p. 405-406 (1905).

  • (6) - ACHESON (E.G.) -   Production of artificial crystalline carbonaceous materials.  -  ...

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