Glossaire

# Globalfoundries 22FDX

Dans les ressources documentaires

Articles de références et fiches pratiques à propos de : Globalfoundries 22FDX

Transistors bipolaires intégrés
Réf : E2427

Cet article décrit le fonctionnement du transistor bipolaire et présente les procédés de fabrication associés dans le cas plus spécifique du transistor bipolaire à hétérojonction silicium/silicium germanium intégré en technologie BiCMOS. Les avantages et les contraintes de [...]

10 janv. 2021

Circuits intégrés CMOS sur silicium
Réf : E2432

-monnaies. La technologie FinFET est fabriquée par INTEL et les fondeurs TSMC, Samsung et GlobalGlobalFoundries. La technologie... par STMicroelectronics et les fondeurs Samsung et GlobalGlobalFoundries. Concevoir des [...]

10 sept. 2019

Les normes en management de projet
Réf : FIC0818

en compte les spécificités de l’organisation en mode projet. Le FD X50-115 est un bon support... , exigences à respecter, intérêts et limites de la démarche). Le FD X50-117 souligne l’importance accrue... naturel au [...]

10 avr. 2024

Dans l'actualité

Actualité à propos de : Globalfoundries 22FDX

Toute l'actualité

Inscrivez-vous aux newsletters !

Contactez-nous