- Article de bases documentaires
|- 10 avr. 2018
|- Réf : D3231
Cet article décrit les caractéristiques électriques des principaux composants à semi-conducteur de puissance en lien avec les grandeurs électriques de commande. Il montre ainsi quels peuvent être les effets des caractéristiques du circuit de commande rapprochée sur les performances en conduction et en commutation des composants à semi-conducteur de puissance. Trois grandes familles de composants ...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2024
|- Réf : E1995
HEMT GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence... de surface (cap) en GaN ou SiN. Une limitation des HEMTs de la filière GaN est la densité de défauts due... nitrure de gallium (GaN) Les HEMTs fabriqués sur substrat GaN profitent d’une densité de dislocations...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2017
|- Réf : E1996
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN... dans le canal. Pour un HEMT de la filière nitrure de gallium, cette couche de barrière est en AlGaN, AIN ou AlInN... à 2000cm 2 .V −1 .s −1 ont été atteintes dans le gaz 2D pour des HEMTs Al x Ga 1−x N/GaN RIDLEY (B... Effets limitatifs des performances des HEMTs GaN Éléments parasites d’accès Un transistor de puissance...
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