Dépôt de films nanométriques en pulvérisation cathodique radiofréquence

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Dépôt de films nanométriques en pulvérisation cathodique radiofréquence

Auteur(s) : Gilles RENOU

Date de publication : 10 avril 2006 | Read in english

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RÉSUMÉ

Cet article traite du dépôt de films nanométriques en pulvérisation cathodique radiofréquence, réservé il y a encore quelques temps aux domaines spatial et aéronautique. Désormais, ce procédé se propage à d’autres secteurs d’activités tels que la décoration ou le biomédical. L'article s’attache tout d'abord aux décharges basse température, basse pression : décharges diode continue et décharges radiofréquence (décharges excitées par des champs électriques haute fréquence). Les paramètres de dépôt sont ensuite passés en revue : les mécanismes de pulvérisation, la puissance, la pression et la distance cible-substrat.

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AUTEUR(S)

 INTRODUCTION

Le dépôt de couches minces de quelques dizaines de nanomètres à quelques micromètres par pulvérisation cathodique (PVD en anglais : Physical Vapor Deposition) était réservé il y a quelque temps aux domaines spatial et aéronautique. Ce procédé, s'il reste toujours très utilisé en mécanique, est maintenant économiquement abordable pour d'autres secteurs d'activité aussi variés que la décoration ou le biomédical. La plupart des machines de dépôt par pulvérisation fonctionnent en diode magnétron. Mais dans certains cas, et en particulier lors de l'utilisation de cibles isolantes, l'utilisation d'un système radiofréquence est incontournable.

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