Transistors bipolaires
Composants bipolaires : circuits de commande

3.1 Principes de commande

Comme nous l’avons vu en [D 3 231, § 2], les transistors bipolaires sont généralement placés en conduction dans un régime limite entre la saturation dure et la quasi-saturation grâce à l’insertion d’une diode d’antisaturation. La figure 11 rappelle l’allure typique du courant de base alors que la figure 12 rappelle un schéma de principe de commande de base utilisant un diode d’antisaturation.

La diode d’antisaturation DAS, lorsqu’elle conduit, maintient la tension collecteur-base à une valeur proche de zéro volt, et donc le transistor dans un régime limite entre la saturation et la quasi-saturation, et cela, quelle que soit la valeur du courant collecteur, pourvu que le courant I_GENE fourni par le générateur de commande soit supérieur à I_C/β_f (avec β_f gain forcé du transistor). Le dispositif d’antisaturation agit, en quelque sorte, comme un asservissement du courant de base au courant collecteur pour maintenir la tension V_CB positive ou nulle. On peut, en pratique, « ajuster » la valeur de V_CB à une valeur supérieure pour obtenir un fonctionnement encore plus proche du régime linéaire (plus rapide, mais avec de plus fortes pertes en conduction) en connectant deux voire trois diodes d’antisaturation en série.

La figure 13 compare les commutations de blocage d’un transistor bipolaire BUX98 muni d’un circuit d’aide à la commutation CALC au blocage (C_S = 47 nF) avec et sans diode d’antisaturation.

On constate, avec l’utilisation de la diode d’antisaturation, que le temps de stockage est réduit de 5 µs environ à 1 µs et que dans le même temps, les commutations étant plus rapides, les pertes au blocage sont plus faibles.

On peut d’ailleurs noter l’existence de composants...