Article

1 - THYRISTORS

2 - TRIACS

3 - TRANSISTORS BIPOLAIRES

4 - THYRISTORS GTO ET GCT

| Réf : D3232 v1

Composants bipolaires : circuits de commande

Auteur(s) : Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON

Date de publication : 10 mai 2003

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RÉSUMÉ

Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance bipolaires à commande en courant. L’article se focalise sur la mise en forme et l’amplification des courants de gâchette (thyristors, triacs et GTO) pour la commande de ces composants (transistors bipolaires). Les circuits de commande de composants tels que le BJT ou le thyristor GTO dont certaines applications sont restreintes voire obsolètes, sont volontairement traités afin de mieux présenter les circuits de commande de composants tels que les BJT SiC ou les IGCT.

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ABSTRACT

Bipolar Devices (Thyristors, Triacs, GTO, GCT and BJT) : Gate and Base Drive Circuits

This article presents the command principles of the main current-driven bipolar power semiconductor devices. It focuses on the shaping and amplification of trigger currents (thyristors, triacs and GTO) for the control of these components (bipolar transistors). We have deliberately opted to describe driving circuits of components such as BJT or GTO thyristors, despite their limited or even obsolete applications. These circuits are particularly well-suited to presenting the driving circuits of components such as SiC BJTs or IGCTs.

Auteur(s)

  • Stéphane LEFEBVRE : Agrégé de Génie électrique - Docteur de l’École normale supérieure de Cachan - Maître de conférences au Conservatoire national des arts et métiers

  • Bernard MULTON : Agrégé de Génie électrique - Docteur de l’Université de Paris 6 - Professeur des Universités à l’École normale supérieure de Cachan – Antenne de Bretagne

INTRODUCTION

Des contextes et les principes de la commande des composants bipolaires de puissance ont fait l’objet d’articles précédents Commande des semi-conducteurs de puissance : contextes et Commande des semi-conducteurs de puissance : principes.

Dans cet article sont développés les circuits de commande :

  • des thyristors pour lesquels une synchronisation des circuits de déclenchement est nécessaire ;

  • des triacs qui se commandent sensiblement comme des thyristors ;

  • des transistors bipolaires qui sont généralement placés en conduction dans un régime limite entre la saturation dure et la quasi-saturation grâce à l’utilisation d’une diode d’antisaturation ;

  • des thyristors GTO (Gate Turn Off) dont le principe de commande est assez proche de celui des transistors bipolaires.

Les circuits de commande pour MOSFET et IGBT font l’objet de l’article MOSFET et IGBT : circuits de commande.

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KEYWORDS

gate drives   |   bipolar devices   |   triacs   |   BJT

VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-d3232


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - RAONIC (D.M.) -   SCR Self-Supplied Gate Driver for Medium-Voltage Application with Capacitor as Storage Element (Thyristors à commande de gâchette auto-alimentée pour applications moyenne tension avec un condensateur de stockage)  -  . IEEE Trans. On Ind. Appl., Vol. 36, No 1, Janvier/Février 2000, pp. 212-216.

  • (2) - GONTHIER (L.) -   The new ACS series : a breakthrough in ruggedness & drive for home appliances (La nouvelle série ACS ; un saut technologique en robustesse et commande pour les applications domestiques)  -  – Note d’Application 1172, SGS Thomson, 1999.

  • (3) - Philips Semiconductors -   Power Semiconductor  -  . Chapter 6 : Power control with thyristors and triacs.

  • (4) - LAFORE (D.), LI (J.M.), REDOUTE (J.) -   A very fast power hybrid module working in thyristor mode  -  . EPE Conf. 1991, Florence, pp. 2439-2441.

  • (5) - RISCHMÜLLER (K.) -   Darlington, Bipmos, Cascode : caractéristiques et critères d’emploi  -  . Électronique Applications no 31, septembre 1983, pp. 35-44.

  • ...

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