Composants semiconducteurs de puissance

   1 Généralités

   1.1 Composants semiconducteurs en électronique de puissance

   1.2 Caractères et problèmes propres aux structures de puissance

   1.21 Tension blocable

   1.22 Courant passant

   1.23 Commutation

   1.3 Technologie des composants de puissance

   1.31 Matériaux

   1.32 Formation des jonctions

   1.33 Contrôle de la durée de vie des porteurs

   1.34 Passivation et encapsulation

   2 Diodes

   2.1 Généralités

   2.2 Tension blocable

   2.21 Tension de claquage théorique

   2.22 Effet de la température. Courant inverse

   2.23 Contournage et passivation des bords du cristal

   2.3 Chute de tension directe

   2.31 Caractéristique statique à l'état passant

   2.32 Influence de la température

   2.33 Influence des paramètres de structure

   2.4 Comportement dynamique

   2.41 Charge stockée

   2.42 Mise en conduction

   2.43 Recouvrement

   2.44 Caractéristiques dynamiques

   2.5 Diodes Schottky

   3 Thyristors

   3.1 Généralités

   3.2 Structure et principe de fonctionnement

   3.3 Caractéristiques de déclenchement

   3.31 Déclenchement par commande de gâchette

   3.32 Autres moyens de déclenchement

   3.33 Résistance de court-circuit d'émetteur

   3.34 Influence de la température

   3.4 Mise en conduction. État passant

   3.5 Extinction

   3.51 Extinction par réduction du courant d'anode

   3.52 Extinction par inversion forcée du courant d'anode

   3.53 Extinction assistée par la gâchette

   3.6 Tension blocable

   3.61 Tension blocable en inverse

   3.62 Tension blocable en direct

   3.63 Contournage des bords du cristal

   3.7 Relations entre performances

   3.8 Variantes du thyristor et composants dérivés

   3.81 Thyristor asymétrique

   3.82 Thyristor à conduction inverse

   3.83 Thyristor à déclenchement optique

   3.84 Triac

   3.85 Thyristor GTO

   4 Transistors

   4.1 Transistors bipolaires

   4.11 Généralités

   4.12 Caractéristiques de sortie

   4.13 Gain en courant

   4.14 Limitations en tension

   4.15 Compromis courant-tension

   4.16 Commutation

   4.17 Second claquage

   4.18 Darlington monolithique

   4.2 Transistors MOS

   4.21 Généralités

   4.22 Caractéristiques principales (tension blocable, résistance à l'étatpassant RON)

   5 Associations transistor MOS - transistor bipolaire

   6 Composants à effet de champ de jonction

   7 Conclusion

   Bibliographie