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Auteur(s)
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Philippe LETURCQ :
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Lire l’articleINTRODUCTION
1 Terminaisons des jonctions bloquantes en technologieplanar
2 Redresseur JBS
3 Commutation des transistors bipolaires dans un fonction-nement de type hacheur
3.1 Fonctionnement
3.2 Remarques
4 Caractéristiques principales des transistors MOS de puissance
4.1 Tension blocable
4.2 Résistance à l'état passant RON
4.3 Performances dynamiques
4.4 Aire de sécurité
5 Associations monolithiques MOS-bipolaire
5.1 Thyristors à commande isolée
5.2 IGBT (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor)
5.21 Caractéristiques courant-tension
5.22 Tension blocable
5.23 Commutation
5.24 Performances des IGBT
Pour en savoir plus
VERSIONS
- Version archivée 1 de déc. 1987 par Philippe LETURCQ
- Version courante de févr. 2007 par Jean-Louis SANCHEZ, Frédéric MORANCHO
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