Principales notations utilisées
1 Propriétés électroniques du silicium
1.1 Notions élémentaires
1.11 Porteurs mobiles et charges fixes
1.12 Concentration intrinsèque
1.13 Cristaux N et P
1.14 Charges d'espace
1.15 Génération et recombinaison des porteurs
1.2 Comportement électrique
1.21 Courants de conduction et de diffusion
1.22 Équations de continuité
1.23 Contacts
1.24 Relations entre courants et tension
1.25 Approximation de Boltzmann
1.26 Rapport des courants de trous et d'électrons
2 Contacts métal-semiconducteur
2.1 Contacts redresseurs Schottky
2.11 Région de charge d'espace
2.12 Caractéristique statique J(V)
2.13 Intérêt des contacts Schottky
2.2 Contacts ohmiques
3 Jonctions PN
3.1 Principe de fonctionnement
3.2 Jonction P+N courte
3.21 Relation densité de courant-tension J(V)
3.22 Répartitions des porteurs
3.23 Caractéristique statique
3.24 Courant d'électrons
3.3 Jonction P+PN+ ou P+NN+ longue
3.31 Hypothèse de travail
3.32 Relation tension-densité de courant V(J)
3.33 Caractéristique statique
3.34 Charge stockée
3.4 Polarisation inverse
3.41 Caractéristiques de la zone de transition
3.42 Génération thermique
3.43 Claquage par avalanche
3.5 Comportement dynamique
3.51 Polarisation directe
3.52 Polarisation inverse
4 Effet transistor
4.1 Principe
4.2 Équations de fonctionnement
4.3 Modèle d'Ebers et Moll
4.4 Caractéristiques statiques des transistors
4.5 Effet des recombinaisons dans la région de base
4.6 Comportement dynamique
5 Effet de champ
5.1 Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (TMOS)
5.11 Structure et principe de fonctionnement
5.12 Charge portée par l'armature semiconductrice
5.13 Calcul du courant de drain
5.14 Caractéristiques statiques
5.15 Comportement dynamique
5.2 Transistor à effet de champ de jonction (JFET)
5.21 Structure
5.22 Calcul du courant de drain
5.23 Comportement dynamique
